2307 - Microsemi Corporation - 트랜지스터-양극 (bjt)-rf 2307

2307

소개

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보장 구매

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	42V
트랜지스터 유형:	NPN
제조업체 장치 패키지:	55BT
연속:	-
전력 - 최대:	20.5W
포장:	Bulk
패키지 / 케이스:	55BT
다른 이름들:	2307MS
작동 온도:	200°C (TJ)
잡음 지수 (f에서 dB Typ):	-
실장 형:	Chassis Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	2307
이득:	8dB
주파수 - 전환:	2.3GHz
확장 설명:	RF Transistor NPN 42V 1A 2.3GHz 20.5W Chassis Mount 55BT
기술:	TRANS BIPO 20V 7W 55BT
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	10 @ 500mA, 5V
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	1A
Email:	[email protected]

제품 모델	제조업체	기술	전망
BFP 181 E7764	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143	문의
2304	Microsemi Corporation	TRANS BIPO 20V 4W 55BT	문의
NE67839-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-143	문의
2301	Microsemi Corporation	TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT	문의