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CPMF-1200-S080B
제품 모델:
CPMF-1200-S080B
제조사:
Cree
기술:
MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
19072 Pieces
데이터 시트:
CPMF-1200-S080B.pdf
문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 1mA
Vgs (최대):+25V, -5V
과학 기술:SiCFET (Silicon Carbide)
제조업체 장치 패키지:Die
연속:Z-FET™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):110 mOhm @ 20A, 20V
전력 소비 (최대):313mW (Tj)
포장:Bulk
패키지 / 케이스:Die
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:CPMF-1200-S080B
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1915pF @ 800V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:90.8nC @ 20V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):20V
소스 전압에 드레인 (Vdss):1200V (1.2kV)
기술:MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):50A (Tj)
Email:[email protected]

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