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EFC6602R-A-TR
제품 모델:
EFC6602R-A-TR
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
MOSFET 2N-CH EFCP
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
17670 Pieces
데이터 시트:
EFC6602R-A-TR.pdf
문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):-
제조업체 장치 패키지:6-EFCP (2.7x1.81)
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):-
전력 - 최대:2W
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:6-XFBGA
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:8 Weeks
제조업체 부품 번호:EFC6602R-A-TR
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:55nC @ 4.5V
FET 유형:2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 특징:Logic Level Gate, 2.5V Drive
확장 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2W Surface Mount 6-EFCP (2.7x1.81)
소스 전압에 드레인 (Vdss):-
기술:MOSFET 2N-CH EFCP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):-
Email:[email protected]

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