사다 BYCHPS가있는 FCB20N60TM
보장 구매
FCB20N60TM
- 제품 모델:
- FCB20N60TM
- 기술:
- MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 14026 Pieces
- 데이터 시트:
- FCB20N60TM.pdf
소개
BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. FCB20N60TM, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. FCB20N60TM을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
규격
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (최대): | ±30V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | D²PAK (TO-263AB) |
| 연속: | SuperFET™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 190 mOhm @ 10A, 10V |
| 전력 소비 (최대): | 208W (Tc) |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 다른 이름들: | FCB20N60TM_NL FCB20N60TM_NLTR FCB20N60TM_NLTR-ND FCB20N60TMTR |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 9 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | FCB20N60TM |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 3080pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 98nC @ 10V |
| FET 유형: | N-Channel |
| FET 특징: | - |
| 확장 설명: | N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 600V |
| 기술: | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
FCB20N60TM에 대한 관련 부품
| 영상 | 제품 모델 | 제조업체 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
 |
AOT3N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220 | 문의 |
 |
STF23N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 16A | 문의 |
 |
FCB20N60FTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | 문의 |
|
FCB20N60_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | 문의 |
 |
IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | 문의 |
|
FCB20N60F_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB | 문의 |
 |
IXTR62N15P | IXYS | MOSFET N-CH ISOPLUS-247 | 문의 |
 |
STK28N3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 28A POLARPAK | 문의 |
 |
SPI80N06S2-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK | 문의 |
 |
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | 문의 |
 |
IXTY2R4N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK | 문의 |
 |
SIR406DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 | 문의 |
 |
FQP32N20C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 | 문의 |
 |
BUK7Y08-40B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK | 문의 |
Latest 뉴스
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers