사다 BYCHPS가있는 IPB054N08N3 G
보장 구매
아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.5V @ 90µA |
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Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | PG-TO263-2 |
연속: | OptiMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 5.4 mOhm @ 80A, 10V |
전력 소비 (최대): | 150W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
다른 이름들: | IPB054N08N3 G-ND IPB054N08N3G IPB054N08N3GATMA1 SP000395166 |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 12 Weeks |
제조업체 부품 번호: | IPB054N08N3 G |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 4750pF @ 40V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
확장 설명: | N-Channel 80V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 6V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 80V |
기술: | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |