IPD60R600E6ATMA1 - Infineon Technologies - 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 IPD60R600E6ATMA1

IPD60R600E6ATMA1

제품 모델:: IPD60R600E6ATMA1

제조사:: International Rectifier (Infineon Technologies)

기술:: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 19065 Pieces

데이터 시트:: IPD60R600E6ATMA1.pdf

문의

소개

BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. IPD60R600E6ATMA1, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. IPD60R600E6ATMA1을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.

사다 BYCHPS가있는 IPD60R600E6ATMA1

보장 구매

규격

아이디 @ VGS (일) (최대):	3.5V @ 200µA
과학 기술:	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:	TO-252
연속:	CoolMOS™ E6
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	600 mOhm @ 2.4A, 10V
전력 소비 (최대):	63W (Tc)
포장:	Bulk
패키지 / 케이스:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들:	SP001117094
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	12 Weeks
제조업체 부품 번호:	IPD60R600E6ATMA1
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	440pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	20.5nC @ 10V
FET 유형:	N-Channel
FET 특징:	-
확장 설명:	N-Channel 600V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252
소스 전압에 드레인 (Vdss):	600V
기술:	MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	7.3A (Tc)
Email:	[email protected]

IPD60R600E6ATMA1에 대한 관련 부품

제품 모델	제조업체	기술	전망
IPD60R650CEAUMA1	Infineon Technologies	CONSUMER	문의
IPD60R600CPBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252	문의
IPD60R600P7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3	문의
IPD60R600CPATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252	문의
IPD60R600P6ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252	문의
IPD60R600E6	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252	문의
IPD60R600C6BTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252	문의
IPD60R600P6	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252	문의
IPD60R600C6ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252	문의

소개

규격

빠른 견적 요청

Latest 뉴스