IRF6718L2TRPBF
IRF6718L2TRPBF
제품 모델:
IRF6718L2TRPBF
제조사:
International Rectifier (Infineon Technologies)
기술:
MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
15588 Pieces
데이터 시트:
IRF6718L2TRPBF.pdf

소개

BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. IRF6718L2TRPBF, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. IRF6718L2TRPBF을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
사다 BYCHPS가있는 IRF6718L2TRPBF
보장 구매

규격

아이디 @ VGS (일) (최대):2.35V @ 150µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:DIRECTFET L6
연속:HEXFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):0.7 mOhm @ 61A, 10V
전력 소비 (최대):4.3W (Ta), 83W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:DirectFET™ Isometric L6
다른 이름들:IRF6718L2TRPBF-ND
IRF6718L2TRPBFTR
SP001523928
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:12 Weeks
제조업체 부품 번호:IRF6718L2TRPBF
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:6500pF @ 13V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:96nC @ 4.5V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 25V 61A (Ta), 270A (Tc) 4.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L6
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):25V
기술:MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):61A (Ta), 270A (Tc)
Email:[email protected]

빠른 견적 요청

제품 모델
수량
회사
이메일
전화
메모/주석