IRFD120 - Vishay Siliconix - 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 IRFD120

IRFD120

소개

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보장 구매

아이디 @ VGS (일) (최대):	4V @ 250µA
과학 기술:	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
연속:	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	270 mOhm @ 780mA, 10V
전력 소비 (최대):	1.3W (Ta)
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	4-DIP (0.300", 7.62mm)
다른 이름들:	*IRFD120 IRFD121 IRFD122
작동 온도:	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:	Through Hole
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	IRFD120
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	360pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	16nC @ 10V
FET 유형:	N-Channel
FET 특징:	-
확장 설명:	N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
소스 전압에 드레인 (Vdss):	100V
기술:	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	1.3A (Ta)
Email:	[email protected]

제품 모델	제조업체	기술	전망
IRFD123PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP	문의
IRFD120PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP	문의
IRFD113	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP	문의
IRFD113PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP	문의
IRF7467	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC	문의
IRFD110PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP	문의
IRFD110	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP	문의
BUK9612-55B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	문의
FQD1N50TF	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK	문의
IRL3716STRRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK	문의
STH270N8F7-6	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6	문의
IPB60R280C6	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263	문의
SPB80N08S2L-07	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK	문의
IXFH102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-247	문의
FDP8441_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB	문의