IXBT42N170 - IXYS - 트랜지스터-이그bts-단일 IXBT42N170

IXBT42N170

제품 모델:: IXBT42N170

제조사:: IXYS Corporation

기술:: IGBT 1700V 80A 360W TO268

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 18980 Pieces

데이터 시트:: IXBT42N170.pdf

문의

소개

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규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	1700V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):	2.8V @ 15V, 42A
시험 조건:	-
Td (온 / 오프) @ 25 ° C:	-
에너지 전환:	-
제조업체 장치 패키지:	TO-268
연속:	BIMOSFET™
역 회복 시간 (trr):	1.32µs
전력 - 최대:	360W
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	8 Weeks
제조업체 부품 번호:	IXBT42N170
입력 유형:	Standard
IGBT 유형:	-
게이트 충전:	188nC
확장 설명:	IGBT 1700V 80A 360W Surface Mount TO-268
기술:	IGBT 1700V 80A 360W TO268
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM):	300A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	80A
Email:	[email protected]

IXBT42N170에 대한 관련 부품

제품 모델	제조업체	기술	전망
IRG7PH28UD1PBF	Infineon Technologies	IGBT 1200V 30A 115W TO247AC	문의
IXBT42N300HV	IXYS	IGBT 3000V 42A 357W TO268	문의
IXGR32N170H1	IXYS	IGBT 1700V 38A 200W ISOPLUS247	문의
IXBT42N170A	IXYS	IGBT 1700V 42A 357W TO268	문의
FGP5N60LS	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 10A 83W TO220	문의
SGL40N150TU	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 1500V 40A 200W TO264	문의
APT20GF120BRDQ1G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 36A 200W TO247	문의
IXGT4N250C	IXYS	IGBT 2500V 13A 150W TO268	문의
IRG4BC30S-SPBF	Infineon Technologies	IGBT 600V 34A 100W D2PAK	문의
STGBL6NC60DT4	STMicroelectronics	IGBT 600V 14A 56W D2PAK	문의
IRG4BC40W-SPBF	Infineon Technologies	IGBT 600V 40A 160W D2PAK	문의
IXGL50N60BD1	IXYS	IGBT 600V ISOPLUS264	문의
IRGR4610DPBF	Infineon Technologies	IGBT 600V 16A 77W DPAK	문의
NGB8206N	ON Semiconductor	IGBT 390V 20A 150W D2PAK	문의
STGW40H65FB	STMicroelectronics	IGBT 650V 80A 283W TO247	문의
IRG4BC30FD-S	Infineon Technologies	IGBT 600V 31A 100W D2PAK	문의

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