IXFH10N100P
IXFH10N100P
제품 모델:
IXFH10N100P
제조사:
IXYS Corporation
기술:
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
12194 Pieces
데이터 시트:
IXFH10N100P.pdf

소개

BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. IXFH10N100P, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. IXFH10N100P을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
사다 BYCHPS가있는 IXFH10N100P
보장 구매

규격

아이디 @ VGS (일) (최대):6.5V @ 1mA
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-247AD (IXFH)
연속:HiPerFET™, PolarP2™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):1.4 Ohm @ 5A, 10V
전력 소비 (최대):380W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-247-3
다른 이름들:Q4374359
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
제조업체 표준 리드 타임:6 Weeks
제조업체 부품 번호:IXFH10N100P
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:3030pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:56nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 1000V (1kV) 10A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
소스 전압에 드레인 (Vdss):1000V (1kV)
기술:MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):10A (Tc)
Email:[email protected]

빠른 견적 요청

제품 모델
수량
회사
이메일
전화
메모/주석