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IXTH1N200P3
IXTH1N200P3
제품 모델:
IXTH1N200P3
제조사:
IXYS Corporation
기술:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
12042 Pieces
데이터 시트:
IXTH1N200P3.pdf
문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 250µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-247 (IXTH)
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):40 Ohm @ 500mA, 10V
전력 소비 (최대):125W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-247-3
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:8 Weeks
제조업체 부품 번호:IXTH1N200P3
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:646pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:23.5nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 2000V (2kV) 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):2000V (2kV)
기술:MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):1A (Tc)
Email:[email protected]

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