IXYP20N65C3D1 - IXYS - 트랜지스터-이그bts-단일 IXYP20N65C3D1

IXYP20N65C3D1

제품 모델:: IXYP20N65C3D1

제조사:: IXYS Corporation

기술:: IGBT 650V 18A 50W TO220

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 19333 Pieces

데이터 시트:: IXYP20N65C3D1.pdf

문의

소개

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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	650V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):	2.5V @ 15V, 20A
시험 조건:	400V, 20A, 20 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C:	19ns/80ns
에너지 전환:	430µJ (on), 350µJ (off)
제조업체 장치 패키지:	TO-220AB
연속:	GenX3™, XPT™
역 회복 시간 (trr):	135ns
전력 - 최대:	200W
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	TO-220-3
작동 온도:	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:	Through Hole
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	12 Weeks
제조업체 부품 번호:	IXYP20N65C3D1
입력 유형:	Standard
IGBT 유형:	PT
게이트 충전:	30nC
확장 설명:	IGBT PT 650V 50A 200W Through Hole TO-220AB
기술:	IGBT 650V 18A 50W TO220
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM):	105A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	50A
Email:	[email protected]

IXYP20N65C3D1에 대한 관련 부품

제품 모델	제조업체	기술	전망
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STGY50NC60WD	STMicroelectronics	IGBT 600V 110A 278W MAX247	문의
IXGH30N60B2D1	IXYS	IGBT 600V 70A 190W TO247AD	문의
IXYP20N65C3D1M	IXYS	IGBT 650V 18A 50W TO220	문의
IRG4BC20K-STRLP	Infineon Technologies	IGBT 600V 16A 60W D2PAK	문의
RJH60M3DPE-00#J3	Renesas Electronics America	IGBT 600V 35A 113W LDPAK	문의
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IXGP20N120BD1	IXYS	IGBT 1200V 40A 190W TO220	문의
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IRG4PH50UPBF	Infineon Technologies	IGBT 1200V 45A 200W TO247AC	문의

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