JDP2S12CR(TE85L,Q - Toshiba Semiconductor and Storage - 다이오드-rf JDP2S12CR(TE85L,Q - BYCHIPS

JDP2S12CR(TE85L,Q

JDP2S12CR(TE85L,Q

제품 모델:: JDP2S12CR(TE85L,Q

제조사:: Toshiba Semiconductor

기술:: DIODE PIN 180V 1A S-FLAT

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 15136 Pieces

데이터 시트:: JDP2S12CR(TE85L,Q.pdf

소개

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보장 구매

규격

전압 - 피크 역 (최대):	180V
제조업체 장치 패키지:	S-FLAT (1.6x3.5)
연속:	-
만약, F @ 저항:	700 mOhm @ 10mA, 100MHz
전력 소비 (최대):	-
포장:	Original-Reel®
패키지 / 케이스:	SOD-123F
다른 이름들:	JDP2S12CR(TE85LQ)DKR JDP2S12CR(TE85LQ)DKR-ND JDP2S12CR(TE85LQDKR JDP2S12CR(TE85LQMDKR JDP2S12CR(TE85LQMDKR-ND
작동 온도:	175°C (TJ)
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	JDP2S12CR(TE85L,Q
확장 설명:	RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5)
다이오드 유형:	PIN - Single
기술:	DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
전류 - 최대:	1A
VR, F @ 용량:	1.3pF @ 40V, 1MHz
Email:	[email protected]

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