MRF8372GR1 - Microsemi Corporation - 트랜지스터-양극 (bjt)-rf MRF8372GR1 - BYCHIPS

MRF8372GR1

제품 모델:: MRF8372GR1

제조사:: Microsemi

기술:: TRANS NPN 16V 200MA SO8

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 12191 Pieces

데이터 시트:: MRF8372GR1.pdf

소개

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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	16V
트랜지스터 유형:	NPN
제조업체 장치 패키지:	8-SO
연속:	-
전력 - 최대:	2.2W
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도:	-
잡음 지수 (f에서 dB Typ):	-
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	MRF8372GR1
이득:	8dB ~ 9.5dB
주파수 - 전환:	870MHz
확장 설명:	RF Transistor NPN 16V 200mA 870MHz 2.2W Surface Mount 8-SO
기술:	TRANS NPN 16V 200MA SO8
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	30 @ 50mA, 5V
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	200mA
Email:	[email protected]

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