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MUN5216DW1T1
MUN5216DW1T1
제품 모델:
MUN5216DW1T1
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 수량:
18274 Pieces
데이터 시트:
MUN5216DW1T1.pdf
문의

소개

BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. MUN5216DW1T1, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. MUN5216DW1T1을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):250mV @ 1mA, 10mA
트랜지스터 유형:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지:SC-88/SC70-6/SOT-363
연속:-
저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴):-
저항기 -베이스 (R1) (옴):4.7k
전력 - 최대:250mW
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:MUN5216DW1T1
주파수 - 전환:-
확장 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
기술:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:160 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):100mA
Email:[email protected]

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MUN5212DW1T1G Image MUN5212DW1T1G ON Semiconductor TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 문의
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MUN5211DW1T1 Image MUN5211DW1T1 ON Semiconductor TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 문의
MUN5212DW1T1 Image MUN5212DW1T1 ON Semiconductor TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 문의
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MUN5211T1G Image MUN5211T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 310MW SC70-3 문의
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