NE58219-T1-A - CEL - 트랜지스터-양극 (bjt)-rf NE58219-T1-A

NE58219-T1-A

제품 모델:: NE58219-T1-A

제조사:: CEL (California Eastern Laboratories)

기술:: TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 12540 Pieces

데이터 시트:: NE58219-T1-A.pdf

문의

소개

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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	12V
트랜지스터 유형:	NPN
제조업체 장치 패키지:	3-SuperMiniMold (19)
연속:	-
전력 - 최대:	100mW
포장:	Original-Reel®
패키지 / 케이스:	SC-75, SOT-416
다른 이름들:	NE58219-T1-ADKR
작동 온도:	125°C (TJ)
잡음 지수 (f에서 dB Typ):	-
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	NE58219-T1-A
이득:	-
주파수 - 전환:	5GHz
확장 설명:	RF Transistor NPN 12V 60mA 5GHz 100mW Surface Mount 3-SuperMiniMold (19)
기술:	TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	60 @ 5mA, 5V
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	60mA
Email:	[email protected]

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제품 모델	제조업체	기술	전망
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NE5820M53-A	CEL	TRANS P CH 6V 17MA 3 PIN	문의

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