NESG2101M05-A - CEL - 트랜지스터-양극 (bjt)-rf NESG2101M05-A

NESG2101M05-A

제품 모델:: NESG2101M05-A

제조사:: CEL (California Eastern Laboratories)

기술:: TRANS NPN 2GHZ M05

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 14639 Pieces

데이터 시트:: 1.NESG2101M05-A.pdf 2.NESG2101M05-A.pdf

문의

소개

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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	5V
트랜지스터 유형:	NPN
제조업체 장치 패키지:	M05
연속:	-
전력 - 최대:	500mW
포장:	Bulk
패키지 / 케이스:	SOT-343F
다른 이름들:	NESG2101M05A
작동 온도:	150°C (TJ)
잡음 지수 (f에서 dB Typ):	0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	NESG2101M05-A
이득:	11dB ~ 19dB
주파수 - 전환:	17GHz
확장 설명:	RF Transistor NPN 5V 100mA 17GHz 500mW Surface Mount M05
기술:	TRANS NPN 2GHZ M05
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	130 @ 15mA, 2V
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	100mA
Email:	[email protected]

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