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NSBC123JF3T5G
NSBC123JF3T5G
제품 모델:
NSBC123JF3T5G
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
12311 Pieces
데이터 시트:
NSBC123JF3T5G.pdf
문의

소개

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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):250mV @ 1mA, 10mA
트랜지스터 유형:NPN - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지:SOT-1123
연속:-
저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴):47k
저항기 -베이스 (R1) (옴):2.2k
전력 - 최대:254mW
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SOT-1123
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:4 Weeks
제조업체 부품 번호:NSBC123JF3T5G
주파수 - 전환:-
확장 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
기술:TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:80 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):100mA
Email:[email protected]

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