PEMH30,115 - Nexperia USA Inc. - 트랜지스터-양극 (bjt)-배열, 프리 바이어스 PEMH30,115

PEMH30,115

제품 모델:: PEMH30,115

제조사:: Nexperia

기술:: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 13575 Pieces

데이터 시트:: PEMH30,115.pdf

문의

소개

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규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):	150mV @ 500µA, 10mA
트랜지스터 유형:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지:	SOT-666
연속:	-
저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴):	-
저항기 -베이스 (R1) (옴):	2.2k
전력 - 최대:	300mW
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	SOT-563, SOT-666
다른 이름들:	934059926115 PEMH30 T/R PEMH30 T/R-ND
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	PEMH30,115
주파수 - 전환:	-
확장 설명:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
기술:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	30 @ 20mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):	1µA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	100mA
Email:	[email protected]

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