사다 BYCHPS가있는 PHT4NQ10T,135
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아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 1mA |
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Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | SOT-223 |
연속: | TrenchMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 250 mOhm @ 1.75A, 10V |
전력 소비 (최대): | 6.9W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | TO-261-4, TO-261AA |
다른 이름들: | 1727-5337-2 568-6777-2 568-6777-2-ND 934056117135 PHT4NQ10T /T3 PHT4NQ10T /T3-ND PHT4NQ10T,135-ND PHT4NQ10T135 |
작동 온도: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 20 Weeks |
제조업체 부품 번호: | PHT4NQ10T,135 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 300pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 7.4nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
확장 설명: | N-Channel 100V 3.5A (Tc) 6.9W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 100V |
기술: | MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 3.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |