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집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 > RJM0603JSC-00#13
RJM0603JSC-00#13
제품 모델:
RJM0603JSC-00#13
제조사:
Renesas Electronics America
기술:
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
12375 Pieces
데이터 시트:
RJM0603JSC-00#13.pdf
문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):2.5V @ 1mA
제조업체 장치 패키지:20-HSOP
연속:Automotive, AEC-Q101
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):20 mOhm @ 10A, 10V
전력 - 최대:54W
포장:-
패키지 / 케이스:20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
작동 온도:175°C
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:RJM0603JSC-00#13
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:2600pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:43nC @ 10V
FET 유형:3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 특징:Logic Level Gate, 4.5V Drive
확장 설명:Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP
소스 전압에 드레인 (Vdss):60V
기술:MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):20A
Email:[email protected]

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