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RN2115,LF(CB
RN2115,LF(CB
제품 모델:
RN2115,LF(CB
제조사:
Toshiba Semiconductor
기술:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
19839 Pieces
데이터 시트:
RN2115,LF(CB.pdf
문의

소개

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규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):300mV @ 250µA, 5mA
트랜지스터 유형:PNP - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지:SSM
연속:-
저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴):10k
저항기 -베이스 (R1) (옴):2.2k
전력 - 최대:100mW
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SC-75, SOT-416
다른 이름들:RN2115,LF(CT
RN2115LF(CBTR
RN2115LF(CTTR
RN2115LF(CTTR-ND
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:16 Weeks
제조업체 부품 번호:RN2115,LF(CB
주파수 - 전환:200MHz
확장 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
기술:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:50 @ 10mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):100mA
Email:[email protected]

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