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SSM6N7002BFU(T5L,F
SSM6N7002BFU(T5L,F
제품 모델:
SSM6N7002BFU(T5L,F
제조사:
Toshiba Semiconductor
기술:
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
13309 Pieces
데이터 시트:
1.SSM6N7002BFU(T5L,F.pdf2.SSM6N7002BFU(T5L,F.pdf
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소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):3.1V @ 250µA
제조업체 장치 패키지:US6
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):2.1 Ohm @ 500mA, 10V
전력 - 최대:300mW
포장:Original-Reel®
패키지 / 케이스:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
다른 이름들:SSM6N7002BFU(T5LFDKR
SSM6N7002BFULF(TDKR
SSM6N7002BFULF(TDKR-ND
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:SSM6N7002BFU(T5L,F
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:17pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:-
FET 유형:2 N-Channel (Dual)
FET 특징:Logic Level Gate
확장 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 300mW Surface Mount US6
소스 전압에 드레인 (Vdss):60V
기술:MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):200mA
Email:[email protected]

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