STI14NM65N - STMicroelectronics - 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 STI14NM65N

STI14NM65N

제품 모델:: STI14NM65N

제조사:: ST

기술:: MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 18093 Pieces

데이터 시트:: STI14NM65N.pdf

문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):	4V @ 250µA
과학 기술:	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:	I2PAK
연속:	MDmesh™ II
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	380 mOhm @ 6A, 10V
전력 소비 (최대):	125W (Tc)
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
작동 온도:	150°C (TJ)
실장 형:	Through Hole
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	STI14NM65N
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	1300pF @ 50V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	45nC @ 10V
FET 유형:	N-Channel
FET 특징:	-
확장 설명:	N-Channel 650V 12A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
소스 전압에 드레인 (Vdss):	650V
기술:	MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	12A (Tc)
Email:	[email protected]

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