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STL8N10LF3
STL8N10LF3
제품 모델:
STL8N10LF3
제조사:
ST
기술:
MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
13661 Pieces
데이터 시트:
STL8N10LF3.pdf
문의

소개

BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. STL8N10LF3, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. STL8N10LF3을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):3V @ 250µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:PowerFlat™ (5x6)
연속:STripFET™ III
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):35 mOhm @ 4A, 10V
전력 소비 (최대):4.3W (Ta), 70W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:8-PowerSMD, Flat Leads
다른 이름들:497-13652-2
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:18 Weeks
제조업체 부품 번호:STL8N10LF3
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:970pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:20.5nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 100V 20A (Tc) 4.3W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):100V
기술:MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):20A (Tc)
Email:[email protected]

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