사다 BYCHPS가있는 TK12E80W,S1X
보장 구매
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 570µA |
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Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | TO-220 |
연속: | DTMOSIV |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 450 mOhm @ 5.8A, 10V |
전력 소비 (최대): | 165W (Tc) |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-220-3 |
다른 이름들: | TK12E80W,S1X(S TK12E80WS1X |
작동 온도: | 150°C |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 12 Weeks |
제조업체 부품 번호: | TK12E80W,S1X |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1400pF @ 300V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
확장 설명: | N-Channel 800V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220 |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 800V |
기술: | MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 11.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |