TK40P04M1(T6RSS-Q)
제품 모델:
TK40P04M1(T6RSS-Q)
제조사:
Toshiba Semiconductor
기술:
MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
17263 Pieces
데이터 시트:
1.TK40P04M1(T6RSS-Q).pdf2.TK40P04M1(T6RSS-Q).pdf

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):2.3V @ 200µA
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:DP
연속:U-MOSVI-H
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):11 mOhm @ 20A, 10V
전력 소비 (최대):47W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:TK40P04M1(T6RSS-Q)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1920pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:29nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 40V 40A (Ta) 47W (Tc) Surface Mount DP
소스 전압에 드레인 (Vdss):40V
기술:MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):40A (Ta)
Email:[email protected]

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