BLF6G10LS-200,112 - NXP USA Inc. - 트랜지스터-fet, 모스 펫-rf BLF6G10LS-200,112 - BYCHIPS

BLF6G10LS-200,112

제품 모델:: BLF6G10LS-200,112

제조사:: NXP Semiconductors / Freescale

기술:: FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 12027 Pieces

데이터 시트:: BLF6G10LS-200,112.pdf

소개

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보장 구매

규격

전압 - 테스트:	28V
전압 - 정격:	65V
트랜지스터 유형:	LDMOS
제조업체 장치 패키지:	SOT502B
연속:	-
전력 - 출력:	40W
포장:	Tray
패키지 / 케이스:	SOT-502B
다른 이름들:	934060895112 BLF6G10LS-200 BLF6G10LS-200-ND
잡음 지수:	-
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	BLF6G10LS-200,112
이득:	20.2dB
회수:	871.5MHz
확장 설명:	RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz 20.2dB 40W SOT502B
기술:	FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B
정격 전류:	49A
전류 - 테스트:	1.4A
Email:	[email protected]

BLF6G10LS-200,112에 대한 관련 부품

영상	제품 모델	제조업체	기술	전망
	BLF6G27LS-50BN,118	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B	문의
	BLF6G20S-230PRN:11	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B	문의
	BLF6G27LS-100,118	NXP USA Inc.	TRANS PWR LDMOS SOT502	문의
	BLF6G10LS-200,118	NXP USA Inc.	FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B	문의
	PTFA211801EV5XWSA1	Infineon Technologies	FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2	문의
	MRF151	M/A-Com Technology Solutions	FET RF N-CH 150W 50V 175MHZ	문의
	MRFE6S9135HR5	NXP USA Inc.	FET RF 66V 940MHZ NI-880	문의
	BLF6G20-230P	NXP USA Inc.	IC BASESTATION FINAL SOT502A	문의
	BLC9G20LS-361AVTY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583	문의
	NE34018-T1	CEL	FET RF 4V 2GHZ SOT-343	문의
	BF512,235	NXP USA Inc.	JFET N-CH 20V 30MA SOT23	문의
	MRF6S27015NR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.6GHZ TO270-2	문의
	PTFA092201FV4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2	문의
	BLF6G24-180PN,112	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A	문의
	PTVA127002EVV1XWSA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	문의
	BLF6G27LS-50BN,112	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B	문의
	AFT21S232SR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2	문의

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