사다 BYCHPS가있는 C2M0045170D
보장 구매
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 18mA |
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Vgs (최대): | +25V, -10V |
과학 기술: | SiCFET (Silicon Carbide) |
제조업체 장치 패키지: | TO-247-3 |
연속: | C2M™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 70 mOhm @ 50A, 20V |
전력 소비 (최대): | 520W (Tc) |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-247-3 |
작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
제조업체 부품 번호: | C2M0045170D |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 3672pF @ 1kV |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 188nC @ 20V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
확장 설명: | N-Channel 1700V (1.7kV) 72A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 20V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 1700V (1.7kV) |
기술: | MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 72A (Tc) |
Email: | [email protected] |