C2M0080120D
C2M0080120D
제품 모델:
C2M0080120D
제조사:
Cree
기술:
MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
18650 Pieces
데이터 시트:
C2M0080120D.pdf

소개

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보장 구매

규격

아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 5mA
Vgs (최대):+25V, -10V
과학 기술:SiCFET (Silicon Carbide)
제조업체 장치 패키지:TO-247-3
연속:C2M™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):98 mOhm @ 20A, 20V
전력 소비 (최대):192W (Tc)
포장:Bulk
패키지 / 케이스:TO-247-3
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:8 Weeks
제조업체 부품 번호:C2M0080120D
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:950pF @ 1000V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:62nC @ 5V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 1200V (1.2kV) 36A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-247-3
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):20V
소스 전압에 드레인 (Vdss):1200V (1.2kV)
기술:MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):36A (Tc)
Email:[email protected]

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