"이것은 고압 제품의 긴 길의 시작 부분 인이 분야에 집중되어있는 많은 다른 앰프의 처음 몇 가지입니다."라고 정밀 앰프 제품의 TI 매니저 인 Marco Gardner는 Electronics Weekly에 말했다.

동시에이 회사는 무거운 부하를 구동하기 위해 고전류 출력을 갖는 32V 900MHz CMOS 전류 피드백 앰프를 발표했다.

작동 전압이 떨어지는 세상에서 왜 새로운 고전압 프로세스가 필요합니까?

"전기 및 하이브리드 차량의 경우 48V 주변에 많은 전압이 있고 신호 컨디셔닝이 많이 필요합니다."라고 Gardener는 말합니다. "업계에서는 번개에 의해 유발되는 과도 전류 및 정전기 방전에 노출 된 긴 케이블이 포함 된 독자와는 거리가 먼 많은 센서 노드가 있습니다. 여전히 작은 전압은 감지해야하지만 모든 간섭을 안정적으로 감지해야합니다. "

OPA2810 Gardener는 "데이터 처리 및 데이터 수집을위한 매우 우수한 툴박스 앰프"라고 기술 한 5.7nV / √Hz 잡음을 갖는 27V 120MHz rail-to-rail 입출력 jfet 연산 증폭기이다.

실내 온도 입력 오프셋은 500μV이며 전류 소비는 3.6mA이다. 후자는 Gardener가 120MHz에서 작동하는 12V jfet 증폭기에 대해 "동급 최상의 대역폭 / Iq"을 요구할 수있게한다.

Jfets는 CMOS 입력의 노이즈 패널티없이 바이폴라보다 적은 입력 바이어스 전류로 프론트 엔드에서 선택되었다. "Jfet은 고분해능 의료 데이터 수집과 같은 고 임피던스 센서에서 많이 사용됩니다."라고 Gardener는 말합니다.

OPA189 가드너 (Gardener)에 따르면 36V '제로 드리프트 (zero-drift)'앰프와 14MHz에서 업계에서 가장 넓은 대역폭의 제로 드리프트 (zero-drift) 앰프가있다.

드리프트는 3μV 오프셋에서 실제로 0.02μV / ° C이며, -40 ~ + 125 ° C에서 최대 4μV 오프셋을 가지며, Gardener에 따르면 노이즈가 묻을 정도로 노이즈가 낮기 때문에 측정 할 수 있습니다.

내부는 선형 증폭기에 매우 근접한 5.2nV / √Hz를 달성하는 새로운 토폴로지입니다. "입력 모듈 및 테스트 및 측정에 이상적입니다."

일부 제로 드리프트 증폭기의 비정상적인 잡음 프로파일이 있습니까?

"이 기술을 사용하면 잡음은 선형 증폭기와 매우 유사합니다."라고 Gardener는 말합니다. 또한 TI는 본질적으로 미시적 인 입력 오프셋에도 불구하고 제로 드리프트 디바이스를 채택하려는 하드웨어 엔지니어들 사이의 과소 평가를 TI가 쟁점으로 생각하는 것보다 더 많이 도움이 될 수 있다고 덧붙였습니다.

Gardener는 "많은 하드웨어 엔지니어들이 제로 드리프트 (zero-drift)를 사용하는 것을 주저합니다. "많은 경우 앰프가 느리거나 20nV / √Hz 이상의 잡음이 발생합니다. 이 기능을 사용하면 선형 증폭기를 쉽게 설계 할 수있어 교정 필요성을 줄이거 나 제거 할 수 있습니다. "

토폴로지 란 무엇입니까?

여러 보정 경로가있는 독점적 인 하이브리드 토폴로지는 특허 상황이 최종 결정될 때까지 모든 Gardener가 준비 할 수있었습니다.

다른 스펙은 20V / μs의 슬루 레이트, 10V 스텝에서 0.01 %로 안정화되며 1.3mA의 무부하 상태를 그리는 1.1μs이다.

위의 두 가지 바이폴라가 동시에 발표 된 CMOS 증폭기는 새로운 BiCom이 아닌 기존의 32V CMOS 공정으로 만들어졌으며 신호 발생기를 설계하는 사람의 마음을 기쁘게 할 것입니다. THS3491 는 200MHz에서 100Ω으로 10Vp-p를 구동 할 수있는 ± 420mA 출력을 갖는 900MHz 전류 피드백 앰프이다.

"이것은 테스트 및 측정을위한 진정한 최신 기술입니다."고 Garnener는 "함수 발생기 출력 단계에 이상적이며 고전류 대용량 부하처럼 보이는 레이저 다이오드 구동에도 이상적"이라고 말했다.

50Ω 함수 발생기 출력 스테이지는 100MHz 이상에서 구동합니다.

그것은 over-shoot를 달성 할 수있다. <1.5% for a 10V step, and rise and fall times of <1.3 ns.

..이 출력 왜곡

피크 출력 전류는> 500mA이며, 용량 성 부하를 구동 할 수 있으며 출력 스윙은 ± 16V 레일로 28Vp-p에서 100Ω으로 전환됩니다.

슬 루율은 8,000V이며 3x3mm QFN과 SOIC의 두 가지 패키지 옵션이있다. 둘 다 고전력 전달을 위해 발열한다. 즉 접합부 - 주위 열 저항은 각각 44 ℃ 및 49 ℃이므로 모든 출력 전류 및 전압 조합이 매우 오랫동안 가능하지는 않습니다.

TI의 말에 따르면, 새로운 디자인은 VQFN-16 패키지를 사용한 가장 낮은 왜곡으로부터 이득을 얻는 반면, 8 핀 HSOIC 패키지는 기존 THS3091 또는 THS3095의 디자인을 업그레이드한다. 왜냐하면 더 낮은 출력 헤드 룸은 ± 15V 전원에서 더 많은 출력 스윙을 제공하기 때문이다.

생성물