0910-60M - Microsemi Corporation - 트랜지스터-양극 (bjt)-rf 0910-60M - BYCHIPS

0910-60M

제품 모델:: 0910-60M

제조사:: Microsemi

기술:: TRAN RF BIPO 180W 1000MHZ 55AW

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 14960 Pieces

데이터 시트:: 0910-60M.pdf

소개

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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	65V
트랜지스터 유형:	NPN
제조업체 장치 패키지:	55AW
연속:	-
전력 - 최대:	180W
포장:	Bulk
패키지 / 케이스:	55AW
작동 온도:	200°C (TJ)
잡음 지수 (f에서 dB Typ):	-
실장 형:	Chassis Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	0910-60M
이득:	8dB ~ 8.5dB
주파수 - 전환:	890MHz ~ 1GHz
확장 설명:	RF Transistor NPN 65V 8A 890MHz ~ 1GHz 180W Chassis Mount 55AW
기술:	TRAN RF BIPO 180W 1000MHZ 55AW
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	-
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	8A
Email:	[email protected]

0910-60M에 대한 관련 부품

영상	제품 모델	제조업체	기술	전망
	0910-150M	Microsemi Corporation	TRAN RF BIPO 400W 1000MHZ 55KT1	문의
	NE856M03-A	CEL	TRANSISTOR NPN 1GHZ MINIMOLD	문의
	1214-220M	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 700W 20A 55ST1	문의
	BFG97,115	NXP USA Inc.	TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223	문의
	BFP650H6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANS RF NPN 4V 150MA SOT343	문의
	2SC4227-T1-R34-A	CEL	SAME AS NE68130 NPN SILICON AMPL	문의
	MPS5179RLRPG	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN RF BIPO 12V TO-92	문의

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