2A5 - Microsemi Corporation - 트랜지스터-양극 (bjt)-rf 2A5

2A5

소개

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사다 BYCHPS가있는 2A5

보장 구매

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	22V
트랜지스터 유형:	NPN
제조업체 장치 패키지:	55ET
연속:	-
전력 - 최대:	5.3W
포장:	Bulk
패키지 / 케이스:	55ET
다른 이름들:	2A5MS
작동 온도:	200°C (TJ)
잡음 지수 (f에서 dB Typ):	-
실장 형:	Stud Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	2A5
이득:	7dB ~ 9dB
주파수 - 전환:	3.4GHz ~ 3.7GHz
확장 설명:	RF Transistor NPN 22V 3mA 3.4GHz ~ 3.7GHz 5.3W Stud Mount 55ET
기술:	TRANS BIPO 55ET-2
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	20 @ 100mA, 5V
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	3mA
Email:	[email protected]

제품 모델	제조업체	기술	전망
NE85639-T1-R27-A	CEL	SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL	문의
BFP520E6327BTSA1	Infineon Technologies	TRANS NPN RF 2.5V SOT-343	문의
PN3563	Fairchild/ON Semiconductor	TRANS RF NPN 15V 50MA TO-92	문의
2A8	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 5.3W 300MA 55EU2	문의
2SC4774T106S	Rohm Semiconductor	TRANS NPN 6V 50MA SOT-323	문의