사다 BYCHPS가있는 2SC33120RA
보장 구매
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 55V |
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IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 1V @ 10mA, 100mA |
트랜지스터 유형: | NPN |
제조업체 장치 패키지: | NS-B1 |
연속: | - |
전력 - 최대: | 300mW |
포장: | Tape & Box (TB) |
패키지 / 케이스: | NS-B1 |
다른 이름들: | 2SC33120RATB |
작동 온도: | 150°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호: | 2SC33120RA |
주파수 - 전환: | 200MHz |
확장 설명: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 55V 100mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1 |
기술: | TRANS NPN 55V 0.1A NS-B1 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 180 @ 2mA, 5V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 1µA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 100mA |
Email: | [email protected] |