2SK2009TE85LF
제품 모델:
2SK2009TE85LF
제조사:
Toshiba Semiconductor
기술:
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
13518 Pieces
데이터 시트:
2SK2009TE85LF.pdf

소개

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보장 구매

규격

아이디 @ VGS (일) (최대):1.5V @ 100µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:SC-59-3
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):2 Ohm @ 50MA, 2.5V
전력 소비 (최대):200mW (Ta)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들:2SK2009 (TE85L,F)
2SK2009(TE85L,F)
2SK2009TE85LFTR
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:11 Weeks
제조업체 부품 번호:2SK2009TE85LF
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:70pF @ 3V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:-
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 30V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):2.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
기술:MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):200mA (Ta)
Email:[email protected]

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