2SK3666-2-TB-E - ON Semiconductor - 트랜지스터-fet 2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

제품 모델:: 2SK3666-2-TB-E

제조사:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

기술:: JFET NCH 30V 200MW 3CP

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 19195 Pieces

데이터 시트:: 2SK3666-2-TB-E.pdf

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소개

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규격

전압 - 컷오프 (VGS 꺼짐) 아이디 @:	180mV @ 1µA
제조업체 장치 패키지:	3-CP
연속:	-
저항 - RDS (ON):	200 Ohm
전력 - 최대:	200mW
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들:	2SK3666-2-TB-E-ND 2SK3666-2-TB-EOSTR
작동 온도:	150°C (TJ)
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	4 Weeks
제조업체 부품 번호:	2SK3666-2-TB-E
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	4pF @ 10V
FET 유형:	N-Channel
확장 설명:	JFET N-Channel 600µA @ 10V 200mW Surface Mount 3-CP
소스 전압에 드레인 (Vdss):	30V
기술:	JFET NCH 30V 200MW 3CP
드레인 전류 (ID) - 최대:	10mA
전류 - Vds를 @ 드레인 (IDSS) (의 Vgs = 0):	600µA @ 10V
Email:	[email protected]

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