3135GN-170M - Microsemi Corporation - 트랜지스터-fet, 모스 펫-rf 3135GN-170M - BYCHIPS

3135GN-170M

제품 모델:: 3135GN-170M

제조사:: Microsemi

기술:: FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 19367 Pieces

데이터 시트:: 3135GN-170M.pdf

소개

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보장 구매

규격

전압 - 테스트:	60V
전압 - 정격:	150V
트랜지스터 유형:	2 N-Channel (Dual) Common Source
제조업체 장치 패키지:	55QP
연속:	-
전력 - 출력:	185W
포장:	Bulk
패키지 / 케이스:	55QP
잡음 지수:	-
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	3135GN-170M
이득:	11.5dB ~ 11.8dB
회수:	3.1GHz ~ 3.5GHz
확장 설명:	RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 500mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 11.5dB ~ 11.8dB 185W 55QP
기술:	FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
정격 전류:	5mA
전류 - 테스트:	500mA
Email:	[email protected]

3135GN-170M에 대한 관련 부품

영상	제품 모델	제조업체	기술	전망
	PD55003TR-E	STMicroelectronics	FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	문의
	SPF-2086TK	RFMD	IC TRANS PHEMT 6GHZ SOT-86	문의
	MRF1550NT1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 175MHZ TO272-6 WRAP	문의
	BLF8G20LS-400PVJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B	문의
	3135GN-100M	Microsemi Corporation	TRANSISTOR GAN 55-QP	문의
	MRFE6VP100HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780	문의
	MRF9120LR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 880MHZ NI-860	문의
	BLF2425M7L100J	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A	문의
	LET9060S	STMicroelectronics	IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10	문의
	PTFA080551EV4T500XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2	문의
	SLD-2083CZ	RFMD	FET RF 35V 928MHZ RF083	문의
	MRFE6VP61K25GSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS	문의
	PTVA120251EAV2XWSA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	문의
	MRF5S9150HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 68V 880MHZ NI-780	문의

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