AFT09MS031GNR1 - NXP USA Inc. - 트랜지스터-fet, 모스 펫-rf AFT09MS031GNR1

AFT09MS031GNR1

제품 모델:: AFT09MS031GNR1

제조사:: NXP Semiconductors / Freescale

기술:: FET RF 40V 870MHZ TO270-2G

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 17617 Pieces

데이터 시트:: AFT09MS031GNR1.pdf

문의

소개

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사다 BYCHPS가있는 AFT09MS031GNR1

보장 구매

규격

전압 - 테스트:	13.6V
전압 - 정격:	40V
트랜지스터 유형:	LDMOS
제조업체 장치 패키지:	TO-270-2 GULL
연속:	-
전력 - 출력:	31W
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	TO-270-2 Gull Wing
다른 이름들:	935314738528
잡음 지수:	-
수분 민감도 (MSL):	3 (168 Hours)
제조업체 표준 리드 타임:	10 Weeks
제조업체 부품 번호:	AFT09MS031GNR1
이득:	17.2dB
회수:	870MHz
확장 설명:	RF Mosfet LDMOS 13.6V 500mA 870MHz 17.2dB 31W TO-270-2 GULL
기술:	FET RF 40V 870MHZ TO270-2G
정격 전류:	-
전류 - 테스트:	500mA
Email:	[email protected]

AFT09MS031GNR1에 대한 관련 부품

제품 모델	제조업체	기술	전망
AFT09MP055NR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270	문의
AFT09MS031NR1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 870MHZ TO-270-2	문의
AFT09MP055GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270	문의
AFT09MS007NT1	NXP USA Inc.	FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W	문의
AFT09S200W02GNR3	NXP USA Inc.	FET RF 70V 960MHZ PLD	문의
BLF6G22LS-100,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.2DB SOT502B	문의
MD7P19130HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4	문의
AFT09MS015NT1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 870MHZ PLD	문의
AFT09S282NR3	NXP USA Inc.	FET RF 70V 960MHZ OM-780-2	문의
MRF7S38040HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 3.6GHZ NI-400S	문의
AFT09H310-03SR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S	문의
AFT09S200W02SR3	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD	문의
AFT09S220-02NR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	문의
AFT09H310-04GSR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230-4GS	문의
AFT09S200W02NR3	NXP USA Inc.	FET RF 70V 960MHZ PLD	문의

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