APT150GN60B2G - Microsemi Corporation - 트랜지스터-이그bts-단일 APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

제품 모델:: APT150GN60B2G

제조사:: Microsemi

기술:: IGBT 600V 220A 536W SOT227

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 12934 Pieces

데이터 시트:: APT150GN60B2G.pdf

문의

소개

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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):	1.85V @ 15V, 150A
시험 조건:	400V, 150A, 1 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C:	44ns/430ns
에너지 전환:	8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
연속:	-
전력 - 최대:	536W
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	TO-247-3 Variant
작동 온도:	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:	Through Hole
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	22 Weeks
제조업체 부품 번호:	APT150GN60B2G
입력 유형:	Standard
IGBT 유형:	Trench Field Stop
게이트 충전:	970nC
확장 설명:	IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole
기술:	IGBT 600V 220A 536W SOT227
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM):	450A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	220A
Email:	[email protected]

APT150GN60B2G에 대한 관련 부품

제품 모델	제조업체	기술	전망
APT150GN60JDQ4	Microsemi Corporation	IGBT 600V 220A 536W SOT227	문의
APT150GN60LDQ4G	Microsemi Corporation	IGBT 600V 220A 536W TO-264L	문의
APT150GN120JDQ4	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 215A 625W SOT227	문의
APT15DQ100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247	문의
APT15S20KG	Microsemi Corporation	DIODE SCHOTTKY 200V 25A TO220	문의
APT15DQ60BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 600V 15A TO247	문의
APT15GF120JCU2	Microsemi Corporation	MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227	문의
APT150GN60J	Microsemi Corporation	IGBT 600V 220A 536W SOT227	문의
APT150GT120JR	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 170A 830W SOT227	문의
APT15GN120KG	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 45A 195W TO220	문의
APT15S20KCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220	문의
APT15GP60KG	Microsemi Corporation	IGBT 600V 56A 250W TO220	문의
APT150GN120J	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 215A 625W SOT227	문의

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