APT75GN120LG - Microsemi Corporation - 트랜지스터-이그bts-단일 APT75GN120LG

APT75GN120LG

제품 모델:: APT75GN120LG

제조사:: Microsemi

기술:: IGBT 1200V 200A 833W TO264

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 18941 Pieces

데이터 시트:: APT75GN120LG.pdf

문의

소개

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규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	1200V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):	2.1V @ 15V, 75A
시험 조건:	800V, 75A, 1 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C:	60ns/620ns
에너지 전환:	8620µJ (on), 11400µJ (off)
제조업체 장치 패키지:	TO-264 [L]
연속:	-
전력 - 최대:	833W
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	TO-264-3, TO-264AA
다른 이름들:	APT75GN120LGMI APT75GN120LGMI-ND
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:	Through Hole
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	22 Weeks
제조업체 부품 번호:	APT75GN120LG
입력 유형:	Standard
IGBT 유형:	Trench Field Stop
게이트 충전:	425nC
확장 설명:	IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole TO-264 [L]
기술:	IGBT 1200V 200A 833W TO264
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM):	225A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	200A
Email:	[email protected]

APT75GN120LG에 대한 관련 부품

제품 모델	제조업체	기술	전망
APT75GP120JDQ3	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 128A 543W SOT227	문의
APT75GT120JU2	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 100A 416W SOT227	문의
APT75GN60B2DQ3G	Microsemi Corporation	IGBT 600V 155A 536W TO264	문의
APT75GN120JDQ3	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 124A 379W SOT227	문의
APT75DL120HJ	Microsemi Corporation	MOD DIODE 1200V SOT-227	문의
APT75M50B2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX	문의
APT75GN120J	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 124A 379W SOT227	문의
APT75GN120JDQ3G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 124A 379W SOT227	문의
APT75GN120B2G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 200A 833W TMAX	문의
APT75F50L	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 75A TO-264	문의
APT75DQ60BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 600V 75A TO247	문의

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