사다 BYCHPS가있는 APTM100H35FTG
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APTM100H35FTG
- 제품 모델:
- APTM100H35FTG
- 제조사:
- Microsemi
- 기술:
- MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 17299 Pieces
소개
BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. APTM100H35FTG, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. APTM100H35FTG을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
규격
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| 제조업체 장치 패키지: | SP4 |
| 연속: | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 420 mOhm @ 11A, 10V |
| 전력 - 최대: | 390W |
| 포장: | Bulk |
| 패키지 / 케이스: | SP4 |
| 작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Chassis Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 22 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | APTM100H35FTG |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 5200pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 186nC @ 10V |
| FET 유형: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET 특징: | Standard |
| 확장 설명: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP4 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 1000V (1kV) |
| 기술: | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 22A |
| Email: | [email protected] |
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