BA12004BF-E2 - Rohm Semiconductor - 트랜지스터-바이 폴라 (bjt)-어레이 BA12004BF-E2

BA12004BF-E2

제품 모델:: BA12004BF-E2

제조사:: LAPIS Semiconductor

기술:: TRANS 7NPN DARL 60V 0.5A 16SOP

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 12559 Pieces

데이터 시트:: BA12004BF-E2.pdf

문의

소개

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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	60V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):	1.6V @ 500µA, 350mA
트랜지스터 유형:	7 NPN Darlington
제조업체 장치 패키지:	16-SOP
연속:	-
전력 - 최대:	620mW
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
다른 이름들:	BA12004BF-E2TR
작동 온도:	-40°C ~ 85°C (TA)
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	7 Weeks
제조업체 부품 번호:	BA12004BF-E2
주파수 - 전환:	-
확장 설명:	Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 60V 500mA 620mW Surface Mount 16-SOP
기술:	TRANS 7NPN DARL 60V 0.5A 16SOP
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	1000 @ 350mA, 2V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):	-
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	500mA
Email:	[email protected]

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