BGB 540 E6327 - Infineon Technologies - 트랜지스터-양극 (bjt)-rf BGB 540 E6327

BGB 540 E6327

제품 모델:: BGB 540 E6327

제조사:: International Rectifier (Infineon Technologies)

기술:: TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 12994 Pieces

데이터 시트:: BGB 540 E6327.pdf

문의

소개

BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. BGB 540 E6327, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. BGB 540 E6327을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.

사다 BYCHPS가있는 BGB 540 E6327

보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	3.5V
트랜지스터 유형:	NPN
제조업체 장치 패키지:	PG-SOT343-4
연속:	-
전력 - 최대:	120mW
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	SC-82A, SOT-343
다른 이름들:	BGB540E6327XT SP000013194
작동 온도:	150°C (TJ)
잡음 지수 (f에서 dB Typ):	1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	BGB 540 E6327
이득:	16dB ~ 17.5dB
주파수 - 전환:	-
확장 설명:	RF Transistor NPN 3.5V 30mA 120mW Surface Mount PG-SOT343-4
기술:	TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	-
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	30mA
Email:	[email protected]

BGB 540 E6327에 대한 관련 부품

제품 모델	제조업체	기술	전망
UTV200	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 80W 4.5A 55JV2	문의
AT-41535G	Broadcom Limited	TRANSISTOR NPN BIPOLAR 35MICRO-X	문의
AT-30511-TR2G	Broadcom Limited	TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-143	문의
MS1512	Microsemi Corporation	TRANS BIPO NPN M122	문의
2SC5006-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-523	문의

소개

규격

빠른 견적 요청

Latest 뉴스