BLF3G21-6,112 - Ampleon USA Inc. - 트랜지스터-fet, 모스 펫-rf BLF3G21-6,112 - BYCHIPS

BLF3G21-6,112

제품 모델:: BLF3G21-6,112

제조사:: Ampleon

기술:: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 15019 Pieces

데이터 시트:: BLF3G21-6,112.pdf

소개

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사다 BYCHPS가있는 BLF3G21-6,112

보장 구매

규격

전압 - 테스트:	26V
전압 - 정격:	65V
트랜지스터 유형:	LDMOS
제조업체 장치 패키지:	2-CDIP
연속:	-
전력 - 출력:	6W
포장:	Tray
패키지 / 케이스:	SOT-538A
다른 이름들:	568-2398 934058477112 BLF3G21-6 BLF3G21-6-ND
잡음 지수:	-
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	BLF3G21-6,112
이득:	15.5dB
회수:	2GHz
확장 설명:	RF Mosfet LDMOS 26V 90mA 2GHz 15.5dB 6W 2-CDIP
기술:	RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A
정격 전류:	2.3A
전류 - 테스트:	90mA
Email:	[email protected]

BLF3G21-6,112에 대한 관련 부품

영상	제품 모델	제조업체	기술	전망
	BLF3G21-6,135	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A	문의
	BLF3G21-30,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C	문의
	MRF8S18260HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8	문의
	BF1100R,235	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143	문의
	PD54003-E	STMicroelectronics	FET RF 25V 500MHZ PWRSO10	문의
	BLF3G22-30,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A	문의
	BLF3G22-30,135	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A	문의
	ON5174,118	NXP USA Inc.	MOSFET RF SOT426 D2PAK	문의
	BF904AWR,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143R	문의
	PTFA081501E1V4XWSA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS H-36248-2	문의
	MRF5P21240HR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230	문의
	BLP05H6110XRGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	문의
	NE3510M04-A	CEL	FET RF 4V 4GHZ M04	문의
	PTAB182002FCV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4	문의

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