BLF4G10-160,112 - NXP USA Inc. - 트랜지스터-fet, 모스 펫-rf BLF4G10-160,112 - BYCHIPS

BLF4G10-160,112

제품 모델:: BLF4G10-160,112

제조사:: NXP Semiconductors / Freescale

기술:: TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 12587 Pieces

데이터 시트:: BLF4G10-160,112.pdf

소개

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보장 구매

규격

전압 - 테스트:	28V
전압 - 정격:	65V
트랜지스터 유형:	LDMOS
제조업체 장치 패키지:	LDMOST
연속:	-
전력 - 출력:	160W
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	SOT-502A
다른 이름들:	934058737112 BLF4G10-160 BLF4G10-160-ND
잡음 지수:	-
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	BLF4G10-160,112
이득:	19.7dB
회수:	894MHz
확장 설명:	RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 894MHz 19.7dB 160W LDMOST
기술:	TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A
정격 전류:	15A
전류 - 테스트:	900mA
Email:	[email protected]

BLF4G10-160,112에 대한 관련 부품

영상	제품 모델	제조업체	기술	전망
	PTF080101M V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10	문의
	BLF4G10LS-160,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B	문의
	BLF4G20-110B,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A	문의
	SD57060-10	STMicroelectronics	FET RF 65V 945MHZ M243	문의
	BLF4G20S-110B,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B	문의
	BLF4G20LS-130,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B	문의
	PTFB182557SHV1R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	문의
	BLF4G10LS-120,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 960MHZ SOT502B	문의
	BLF4G20LS-110B,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B	문의
	MMRF1016HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 120V 225MHZ	문의
	BLF4G22LS-130,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B	문의
	STAC4933	STMicroelectronics	MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B	문의
	MRF6S9160HR3	NXP USA Inc.	FET RF 68V 880MHZ NI-780	문의
	MRFE6VP5150GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW	문의
	BLF4G22S-100,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B	문의

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