BLP8G05S-200GY - Ampleon USA Inc. - 트랜지스터-fet, 모스 펫-rf BLP8G05S-200GY

BLP8G05S-200GY

제품 모델:: BLP8G05S-200GY

제조사:: Ampleon

기술:: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 면제로 무연 / RoHS 면제로 준수

사용 가능한 수량:: 19137 Pieces

데이터 시트:: BLP8G05S-200GY.pdf

문의

소개

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보장 구매

규격

전압 - 테스트:	28V
전압 - 정격:	65V
트랜지스터 유형:	LDMOS (Dual), Common Source
제조업체 장치 패키지:	SOT1204-2
연속:	-
전력 - 출력:	210W
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	SOT-1204-2
다른 이름들:	934069771518
잡음 지수:	-
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	13 Weeks
제조업체 부품 번호:	BLP8G05S-200GY
이득:	21dB
회수:	440MHz
확장 설명:	RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2mA 440MHz 21dB 210W SOT1204-2
기술:	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042
정격 전류:	-
전류 - 테스트:	2mA
Email:	[email protected]

BLP8G05S-200GY에 대한 관련 부품

제품 모델	제조업체	기술	전망
BLP8G10S-270PWY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212	문의
MRF5S21150HR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-880	문의
PTFB212503ELV1R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	문의
BLP8G05S-200Y	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382	문의
BLP8G20S-80PY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231	문의
MMBFJ309	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 30MA SOT23	문의
MW7IC2425NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.45GHZ TO-272-16	문의
BLP8G27-10Z	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN	문의
LET9060	STMicroelectronics	IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10	문의
BLP8G10S-45PY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231	문의
BLP8G21S-160PVY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211	문의
BLP8G10S-45PGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP	문의
AFT23H160-25SR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	문의
NE5550979A-T1-A	CEL	FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG	문의
NE3520S03-T1C-A	CEL	FET RF 4V 20GHZ S03	문의
BLL6H0514-25,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C	문의
BLP8G27-5Z	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN	문의

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