BSC123N08NS3GATMA1
BSC123N08NS3GATMA1
제품 모델:
BSC123N08NS3GATMA1
제조사:
International Rectifier (Infineon Technologies)
기술:
MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
12614 Pieces
데이터 시트:
BSC123N08NS3GATMA1.pdf

소개

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보장 구매

규격

아이디 @ VGS (일) (최대):3.5V @ 33µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:PG-TDSON-8
연속:OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):12.3 mOhm @ 33A, 10V
전력 소비 (최대):2.5W (Ta), 66W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:8-PowerTDFN
다른 이름들:BSC123N08NS3 G
BSC123N08NS3 G-ND
BSC123N08NS3 GTR
BSC123N08NS3 GTR-ND
BSC123N08NS3G
SP000443916
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:16 Weeks
제조업체 부품 번호:BSC123N08NS3GATMA1
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1870pF @ 40V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:25nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 80V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):6V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):80V
기술:MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):11A (Ta), 55A (Tc)
Email:[email protected]

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