사다 BYCHPS가있는 C3M0065090J
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C3M0065090J
- 제품 모델:
- C3M0065090J
- 제조사:
- Cree
- 기술:
- MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 12144 Pieces
- 데이터 시트:
- C3M0065090J.pdf
소개
BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. C3M0065090J, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. C3M0065090J을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
규격
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.1V @ 5mA |
|---|---|
| Vgs (최대): | +19V, -8V |
| 과학 기술: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 제조업체 장치 패키지: | D2PAK (7-Lead) |
| 연속: | C3M™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| 전력 소비 (최대): | 113W (Tc) |
| 포장: | Tube |
| 패키지 / 케이스: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호: | C3M0065090J |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 660pF @ 600V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 30nC @ 15V |
| FET 유형: | N-Channel |
| FET 특징: | - |
| 확장 설명: | N-Channel 900V 35A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 15V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 900V |
| 기술: | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
C3M0065090J에 대한 관련 부품
| 영상 | 제품 모델 | 제조업체 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
 |
C3M0065100J | Cree/Wolfspeed | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET | 문의 |
 |
C3M0065090D | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 | 문의 |
 |
C3M0075120K | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH SICFET 1.2KV TO247-4 | 문의 |
 |
C3M0065100K | Cree/Wolfspeed | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET | 문의 |
 |
C3M0065090J-TR | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 | 문의 |
 |
AO7410 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70-3 | 문의 |
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