CPH6003A-TL-E - ON Semiconductor - 트랜지스터-양극 (bjt)-rf CPH6003A-TL-E

CPH6003A-TL-E

제품 모델:: CPH6003A-TL-E

제조사:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

기술:: TRANS NPN BIPO 12V 150MA CPH6

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 16846 Pieces

데이터 시트:: CPH6003A-TL-E.pdf

문의

소개

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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	12V
트랜지스터 유형:	NPN
제조업체 장치 패키지:	6-CPH
연속:	-
전력 - 최대:	800mW
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
다른 이름들:	CPH6003A-TL-E-ND
작동 온도:	150°C (TJ)
잡음 지수 (f에서 dB Typ):	1.8dB @ 1GHz
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	23 Weeks
제조업체 부품 번호:	CPH6003A-TL-E
이득:	9dB
주파수 - 전환:	7GHz
확장 설명:	RF Transistor NPN 12V 150mA 7GHz 800mW Surface Mount 6-CPH
기술:	TRANS NPN BIPO 12V 150MA CPH6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	100 @ 50mA, 5V
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	150mA
Email:	[email protected]

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제품 모델	제조업체	기술	전망
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1014-6A	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 19W 1A 55LV1	문의
BFU768F,115	NXP USA Inc.	TRANS RF NPN 2.8V 70MA DFP4	문의

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