사다 BYCHPS가있는 FDI33N25TU
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아이디 @ VGS (일) (최대): | 5V @ 250µA |
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과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | I2PAK (TO-262) |
연속: | UniFET™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 94 mOhm @ 16.5A, 10V |
전력 소비 (최대): | 235W (Tc) |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호: | FDI33N25TU |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 2135pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 48nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
확장 설명: | N-Channel 250V 33A (Tc) 235W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 250V |
기술: | MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 33A (Tc) |
Email: | [email protected] |